सैमसंग ने 280 लेयर QLC 3D नैंड फ्लैश मेमोरी घोषित की है, जिसमें रिकॉर्ड तोड़ घनत्व है।
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यह सैमसंग की नवीनतम 3बिट-प्रति-सेल QLC (क्वाड लेवल सेल) 3D नैंड फ्लैश मेमोरी है।
इसमें प्रति चिप घनत्व 1.33Tb है, जो पिछले रिकॉर्ड से 33% ज्यादा है।
इसका उपयोग स्मार्टफ़ोन, कंप्यूटर, डेटा सेंटर आदि में किया जा सकता है।
सैमसंग स्टोरेज तकनीक में अग्रणी है और नई तकनीक विकसित कर रहा है।
आने वाले समय में और ज्यादा घनत्व वाली मेमोरी की उम्मीद है।
यह नई तकनीक डेटा स्टोरेज उत्पादों की क्षमता बढ़ाने में मदद करेगी।